霍尔传感器是根据霍尔效应制作的种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的种，这现象是霍尔于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的霍尔元件，地应用于工业自动化、及信息处理等方面。

　　

　　霍尔效应的本质是：固体材料中的载流子在外加磁场中运动时，因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移，并在材料两侧产生电荷积累，形成垂直于电流方向的电场，终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡，从而在两侧建立起个稳定的电势差即霍尔电压。

　　

　　正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数。平行电场和电流强度之比就是电阻率。大量的研究揭示：参加材料导电过程的不有带负电的电子，还有带正电的空穴。

　　

　　霍尔传感器的特：

　　

　　（）线型特

　　

　　输出电压与外加磁场强度呈线关系，在B1～B2的磁感应强度范围内有较好的线度，磁感应强度出此范围时则呈现饱和状态。

　　

　　（二）开关型特

　　

　　当外加的磁感应强度过动作点Bop时，传感器输出低电平，当磁感应强度降到动作点Bop以下时，传感器输出电平不变，直要降到释放点BRP时，传感器才由低电平跃变为电平。Bop与BRP之间的滞后使开关动作为可靠。

　　

　　锁键型（或称锁存型）开关型霍尔传感器

　　

　　当磁感应强度过动作点Bop时，传感器输出由电平跃变为低电平，而在外磁场撤消后，其输出状态保持不变（即锁存状态），必须施加反向磁感应强度达到BRP时，才能使电平产生变化。